NDL

Nano Devices Laboratory(NDL) 연구실은 차세대 광반도체 소자 (플렉시블 III-V 태양전지, 장파장 반도체 Laser)를 연구한다. 특히, 광반도체 소자의 핵심 기술인 고품질의 III-V 화합물 반도체 및 Ge metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) 성장 기술, 고품질의 나노구조체 제작 기술, 반도체 소자 공정 기술을 연구하고 있다.

1. 고품질의 Epi 성장 기술

Si 물질의 특성 한계로 인해 미래의 반도체 소자는 고출력 및 고성능의 광전자 소자를 구현하기 위한 III-V 화합물 반도체 및 Ge을 이용한 고품질의 반도체 성장 기술이 필요하다.

Epi 구조에 대한 물리학 이론 지식을 바탕으로 band 구조 설계 및 도핑 레벨 특성을 분석 등 Epi 구조 설계 및 MOCVD 성장 연구를 수행한다.

미래의 반도체 제조 기술은 웨이퍼를 지지 기판으로 활용하는 딱딱한 플랫폼 상에서 뿐만 아니라, 곡면에 부착가능하고 착용감이 탁월한 유연 신축성 플랫폼 상에서도 안정적으로 동작하는 전자 기술 개발이 필요하다.

아주대학교 나노소자 연구실은 나노 구조체에 대한 광학적 지식을 바탕으로 주기적인 배열을 갖는 고품질의 나노구조체 제작 기술을 연구하고 , 이를 광 반도체 소자에 접목하여 특성 향상 연구를 수행하고 있다.

반도체 레이저 기술은 5G 기술 상용화로 광 통신 분야에 그 중요성이 매우 커지고 있으며 의료분야, 군수 산업 분야 등 시장 규모가 넓어지고 있다. 나노소자 연구실은 미래 시장을 주도하는 III-V/IV 기반의 장파장 대역의 반도체 레이저를 연구하고 있다.